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產(chǎn)品簡介
場效應(yīng)管測(cè)試儀 MOS管測(cè)試儀 型號(hào)：HAD-9610A，是種新穎的數(shù)字顯示式率場效應(yīng)管參數(shù)測(cè)試裝置，可用于標(biāo)稱 電約在2-85A，率在300W以內(nèi)的N溝導(dǎo)率場效應(yīng)管主要參數(shù)的測(cè)試。
產(chǎn)品分類
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場效應(yīng)管測(cè)試儀 MOS管測(cè)試儀 型號(hào)：HAD-9610A
、HAD-9610A場效應(yīng)管測(cè)試儀 MOS管測(cè)試儀概述
HAD-9610A型率，是種新穎的數(shù)字顯示式率場效應(yīng)管參數(shù)測(cè)試裝置，可用于標(biāo)稱 電約在2-85A，率在300W以內(nèi)的N溝導(dǎo)率場效應(yīng)管主要參數(shù)的測(cè)試。它可以準(zhǔn)確測(cè)量擊穿電壓 VDSS、柵開啟電壓VGS（th）和放大性參數(shù)跨導(dǎo)Gfs，尤其是跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試電可以達(dá)到50A，由于采 用脈沖電測(cè)試法，即使在大電測(cè)試時(shí)也不會(huì)對(duì)被測(cè)器件成何損壞，更可以在大電狀態(tài)下對(duì)場效 應(yīng)管行參數(shù)*性的測(cè)試（配對(duì)）；儀器可用于同等電等的IGBT參數(shù)的測(cè)量；儀器還是臺(tái)性 能十分的電子元器件耐壓測(cè)試裝置，其測(cè)試耐壓時(shí)的漏電有1mA、250uA、25uA 三擋可以選擇。儀器 主要用于率場效應(yīng)管和IGBT的質(zhì)量檢驗(yàn)、參數(shù)的配對(duì)及其它電子元器件的耐壓測(cè)試之用。儀器分N溝導(dǎo)型 測(cè)試儀和P溝導(dǎo)型測(cè)試儀兩種。儀器外型美觀、性能穩(wěn)定、測(cè)量準(zhǔn)確、操作簡單、使用安方便。
二、HAD-9610A MOS管測(cè)試儀主要性能
1、擊穿電壓VDSS測(cè)量范圍： 0—1999V， 度：≤2.5% 。
2、IDSS可分三擋選擇： 1mA、250uA、25uA 。
3、柵開啟電壓VGS（th） 測(cè)量范圍： 0—10V。 度：≤5% 。
4、Gfs跨導(dǎo)測(cè)試電Idm：不小于1—50 A連續(xù)可調(diào)， 度：≤10 % 。
5、Gfs跨導(dǎo)測(cè)試范圍：1—100 。
三、HAD-9610AMOS管測(cè)試儀主要測(cè)試能
1、率場效應(yīng)管的擊穿電壓VDSS、柵開啟電壓VGS(th)、跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試。
2、IGBT的擊穿電壓V(BR)ces、柵開啟電壓VGE(th)、跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試。
3、率場效應(yīng)管和IGBT在50A以下的意電狀態(tài)下*性的測(cè)試，可用于配對(duì)。
4、對(duì)其它更大電和率的場效應(yīng)管及IGBT的測(cè)試：（見下面介紹）。
5、各類晶體三管、二管、穩(wěn)壓管擊穿電壓的測(cè)試。
6、壓敏電阻電壓的測(cè)試等。
四、測(cè)試盒與測(cè)試線
1、利用測(cè)試盒可以方便的測(cè)試TO-126、TO-220、TOP-3等類似封裝的率場效應(yīng)管和IGBT。
2、利用測(cè)試線可以測(cè)量其它金屬類、模塊類等封裝形式的率場效應(yīng)管和IGBT。
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